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CY7C1069G-10ZSXI

CY7C1069G-10ZSXI

참조 용

부품 번호 CY7C1069G-10ZSXI
PNEDA 부품 번호 CY7C1069G-10ZSXI
설명 IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1069G-10ZSXI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1069G-10ZSXI
분류반도체메모리 IC기억

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  • CY7C1069G-10ZSXI Distributor

CY7C1069G-10ZSXI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ns
접근 시간10ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

MT48LC4M32B2P-6A XIT:L

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

MT47H64M16HR-187E:H TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

350ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (8x12.5)

EDW4032CABG-50-N-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.25GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.39V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S25FL128LAGBHB020

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

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