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CY7C1021BN-12VXI

CY7C1021BN-12VXI

참조 용

부품 번호 CY7C1021BN-12VXI
PNEDA 부품 번호 CY7C1021BN-12VXI
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,498
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CY7C1021BN-12VXI 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CY7C1021BN-12VXI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CY7C1021BN-12VXI, CY7C1021BN-12VXI 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 474.42 KB)
PDFCY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 표지
CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 2 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 3 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 4 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 5 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 6 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 7 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 8 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 9 CY7C10211BN-10ZXCT 데이터 시트 페이지 10

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CY7C1021BN-12VXI 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-CDIP

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Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

67-VFBGA

공급자 장치 패키지

67-VFBGA (6.5x8)

CY7C1020DV33-10VXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

N25Q064A13EW9D0E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (16M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WPDFN (6x5)(MLP8)

MT53B384M64D4TP-062 XT:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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