CSD86350Q5D
참조 용
| 부품 번호 | CSD86350Q5D | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | CSD86350Q5D | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 102,906 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 5월 5 - 5월 10 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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CSD86350Q5D 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD86350Q5D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD86350Q5D 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1870pF @ 12.5V |
| 전력-최대 | 13W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerLDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-LSON (5x6) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1550pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2030-6 (Type B) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A, 1.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 260pF @ 15V 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 Micro8™ |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 340mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 5Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 66pF @ 25V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630pF @ 16V 전력-최대 1.39W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
