CSD75207W15
참조 용
| 부품 번호 | CSD75207W15 |
| PNEDA 부품 번호 | CSD75207W15 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 140,652 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 7 - 5월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD75207W15 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD75207W15 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD75207W15 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 595pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 9-UFBGA, DSBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 9-DSBGA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 5 N-Channel, Common Source FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 320pF @ 10V 전력-최대 5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 12-SIP 공급자 장치 패키지 12-SIP w/fin |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A, 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 20V 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지 TO-252-4L |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 15V 전력-최대 3.12W, 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 175A Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 224nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13700pF @ 25V 전력-최대 694W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 320pF @ 15V 전력-최대 10.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® ChipFet Dual |
