CSD17307Q5A
참조 용
| 부품 번호 | CSD17307Q5A |
| PNEDA 부품 번호 | CSD17307Q5A |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 73A 8SON |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 248,046 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CSD17307Q5A 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD17307Q5A |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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CSD17307Q5A 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta), 73A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 3V, 8V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 11A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | +10V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 700pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSONP (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 254nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13.1nF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 890W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-268HV 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 187nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 105nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4250pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 48mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1250pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 66W (Tc) 작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 SDMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A (Ta), 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.5nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-DFN (3x3) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
