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CPH6350-TL-W

CPH6350-TL-W

참조 용

부품 번호 CPH6350-TL-W
PNEDA 부품 번호 CPH6350-TL-W
설명 MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
제조업체 ON Semiconductor
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CPH6350-TL-W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPH6350-TL-W
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
CPH6350-TL-W, CPH6350-TL-W 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 295.1 KB)
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CPH6350-TL-W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-CPH
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

908pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

740mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X1-WLB0808-4

패키지 / 케이스

4-XFBGA, WLBGA

DMT6016LSS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

HUF76639S3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFP044N

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

120W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2970pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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