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CP527-2N6299-CT

CP527-2N6299-CT

참조 용

부품 번호 CP527-2N6299-CT
PNEDA 부품 번호 CP527-2N6299-CT
설명 TRANS PNP DARL 100V CHIP 1=200
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 5,652
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CP527-2N6299-CT 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CP527-2N6299-CT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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CP527-2N6299-CT 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce750 @ 4A, 3V
전력-최대-
주파수-전환4MHz
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

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전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 2A, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

전력-최대

36W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

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