CP219-2N5339-CM
참조 용
| 부품 번호 | CP219-2N5339-CM |
| PNEDA 부품 번호 | CP219-2N5339-CM |
| 설명 | HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,118 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CP219-2N5339-CM 리소스
| 브랜드 | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CP219-2N5339-CM |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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CP219-2N5339-CM 사양
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| 전력-최대 | 6W |
| 주파수-전환 | 30MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대) 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V 전력-최대 2W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 6V 전력-최대 250mW 주파수-전환 300MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지 TO-92S |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 700 @ 500mA, 2V 전력-최대 750mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
