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CNY17-1M

CNY17-1M

참조 용

부품 번호 CNY17-1M
PNEDA 부품 번호 CNY17-1M_140
설명 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
제조업체 Everlight Electronics Co Ltd
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재고 있음 2,826
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 23 - 7월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CNY17-1M 리소스

브랜드 Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CNY17-1M
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
CNY17-1M, CNY17-1M 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 1,229.4 KB)
PDFCNY17-1-V 데이터 시트 표지
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CNY17-1M 사양

제조업체Everlight Electronics Co Ltd
시리즈-
채널 수1
전압-절연5000Vrms
전류 전송 비율 (최소)40% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대)80% @ 10mA
켜기 / 끄기 시간 (일반)10µs, 9µs
상승 / 하강 시간 (일반)6µs, 8µs
입력 유형DC
출력 유형Transistor with Base
전압-출력 (최대)80V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)1.65V (Max)
전류-DC 순방향 (If) (최대)60mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-55°C ~ 110°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지6-DIP

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Vishay Semiconductor Opto Division

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채널 수

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전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

300% @ 1.6mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

2µs, 2µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

7V

전류-출력 / 채널

60mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.4V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

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Sharp Microelectronics

시리즈

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채널 수

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전압-절연

2500Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

100mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

-

전류-DC 순방향 (If) (최대)

-

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads

공급자 장치 패키지

6-DIP

H11F1M

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

7500Vpk

전류 전송 비율 (최소)

-

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

45µs, 45µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

MOSFET

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

H11AA4TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

4170Vrms

전류 전송 비율 (최소)

100% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

30V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.17V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

10% @ 16mA

전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

200ns, 1µs

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor with Base

전압-출력 (최대)

15V

전류-출력 / 채널

8mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.65V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

25mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

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