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CM200DX-24S

CM200DX-24S

참조 용

부품 번호 CM200DX-24S
PNEDA 부품 번호 CM200DX-24S
설명 IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER
제조업체 Powerex Inc.
단가
1 ---------- $1,476.2124
50 ---------- $1,407.0149
100 ---------- $1,337.8174
200 ---------- $1,268.6200
400 ---------- $1,210.9554
500 ---------- $1,153.2909
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CM200DX-24S 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CM200DX-24S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
CM200DX-24S, CM200DX-24S 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 464.25 KB)
PDFCM200DX-24S 데이터 시트 표지
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  • CM200DX-24S Distributor

CM200DX-24S 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈IGBTMOD™
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce20nF @ 10V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB100TS60NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

108A

전력-최대

390W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

INT-A-Pak

공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

FZ1200R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2000A

전력-최대

14500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

12mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

150nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

STG3P2M10N60B

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SEMITOP®

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전력-최대

56W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.72nF @ 25V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SEMITOP®2

공급자 장치 패키지

SEMITOP®2

APTGT150A120D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

700W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

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Chassis Mount

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