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CGH55030F2

CGH55030F2

참조 용

부품 번호 CGH55030F2
PNEDA 부품 번호 CGH55030F2
설명 RF MOSFET HEMT 28V 440166
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 8,406
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CGH55030F2 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CGH55030F2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • CGH55030F2 Distributor

CGH55030F2 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈GaN
트랜지스터 유형HEMT
주파수4.5GHz ~ 6GHz
이득11dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트250mA
전원-출력30W
전압-정격84V
패키지 / 케이스440166
공급자 장치 패키지440166

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Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.4GHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

120mA

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

1.88GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.3GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

350W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

RFM08U9X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

11.7dB

전압-테스트

9.6V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

7.5W

전압-정격

36V

패키지 / 케이스

TO-271AA

공급자 장치 패키지

PW-X

MAGX-000035-01000S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

30MHz ~ 3.5GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

490mA

전원-출력

40dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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