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CDZVT2R3.3B

CDZVT2R3.3B

참조 용

부품 번호 CDZVT2R3.3B
PNEDA 부품 번호 CDZVT2R3-3B
설명 DIODE ZENER 3.3V 100MW VMN2M
제조업체 Rohm Semiconductor
단가
1 ---------- $0.7293
500 ---------- $0.6952
1,000 ---------- $0.6610
2,500 ---------- $0.6268
5,000 ---------- $0.5983
10,000 ---------- $0.5698
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CDZVT2R3.3B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CDZVT2R3.3B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
CDZVT2R3.3B, CDZVT2R3.3B 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 2,241.77 KB)
PDFCDZVT2R3.3B 데이터 시트 표지
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  • CDZVT2R3.3B Distributor

CDZVT2R3.3B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.3V
공차-
전력-최대100mW
임피던스 (최대) (Zzt)120 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr20µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지VMN2M

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±20%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 10.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

SMBG5916CE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

SMBG (DO-215AA)

1N5528B (DO35)

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 7.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JAN1N4102-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.7V

공차

±5%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

ZGL41-190A-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

190V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.05 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 144.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

GL41 (DO-213AB)

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