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CAT24C08WI-GT3JN

CAT24C08WI-GT3JN

참조 용

부품 번호 CAT24C08WI-GT3JN
PNEDA 부품 번호 CAT24C08WI-GT3JN
설명 IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAT24C08WI-GT3JN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAT24C08WI-GT3JN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CAT24C08WI-GT3JN, CAT24C08WI-GT3JN 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 210.35 KB)
PDFCAT24C04WI-GT3JN 데이터 시트 표지
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CAT24C08WI-GT3JN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급1.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

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작동 온도

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

S29VS256R0SBHW003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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44-FBGA (7.7x6.2)

MSM51V18165F-60J3-7

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

104ns

접근 시간

30ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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MT29F1G08ABBEAH4:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

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