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C3M0120090J

C3M0120090J

참조 용

부품 번호 C3M0120090J
PNEDA 부품 번호 C3M0120090J
설명 MOSFET N-CH 900V 22A
제조업체 Cree/Wolfspeed
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

C3M0120090J 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호C3M0120090J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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C3M0120090J 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈C3M™
FET 유형N-Channel
기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs155mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17.3nC @ 15V
Vgs (최대)+18V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds350pF @ 600V
FET 기능-
전력 손실 (최대)83W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK-7
패키지 / 케이스TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

780mOhm @ 3.5A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

7V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.5nC @ 15V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD4P25TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 1.55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI5480DU-T1-GE3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1230pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 47A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1480pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

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