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C2M1000170J

C2M1000170J

참조 용

부품 번호 C2M1000170J
PNEDA 부품 번호 C2M1000170J
설명 MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
제조업체 Cree/Wolfspeed
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

C2M1000170J 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호C2M1000170J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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C2M1000170J 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈C2M™
FET 유형N-Channel
기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id3.1V @ 500µA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 20V
Vgs (최대)+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds200pF @ 1000V
FET 기능-
전력 손실 (최대)78W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스TO-263-7 (Straight Leads)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 270µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK39J60W,S1VQ

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 1.9mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4100pF @ 300V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

270W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P(N)

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

AOB292L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A (Ta), 105A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6775pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

제조업체

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55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

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9.4nC @ 5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

56W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SPI80N06S2L-11

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 93µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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