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BZX85C33_T50R

BZX85C33_T50R

참조 용

부품 번호 BZX85C33_T50R
PNEDA 부품 번호 BZX85C33_T50R
설명 DIODE ZENER 33V 1W DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 11월 13 - 11월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX85C33_T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX85C33_T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX85C33_T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±6%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)35 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 16V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

3EZ160D/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

625 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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