BZX85C30-TAP
참조 용
| 부품 번호 | BZX85C30-TAP | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BZX85C30-TAP | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 30V 1.3W DO41 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 20,102 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BZX85C30-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZX85C30-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZX85C30-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 30V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 30 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 500nA @ 22V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-41 |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±5% 전력-최대 225mW 임피던스 (최대) (Zzt) 22 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 36V 공차 ±10% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 38 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 27.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 36V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 70 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 27V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWERMITE® 전압-제너 (Nom) (Vz) 16V 공차 ±2% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 12.15V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216 |
