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BZX85B20-TAP

BZX85B20-TAP

참조 용

부품 번호 BZX85B20-TAP
PNEDA 부품 번호 BZX85B20-TAP
설명 DIODE ZENER 20V 1.3W DO41
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $0.7433
500 ---------- $0.7085
1,000 ---------- $0.6736
2,500 ---------- $0.6388
5,000 ---------- $0.6097
10,000 ---------- $0.5807
재고 있음 159,132
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BZX85B20-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX85B20-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZX85B20-TAP, BZX85B20-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 101.97 KB)
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  • BZX85B20-TAP Distributor

BZX85B20-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±2%
전력-최대1.3W
임피던스 (최대) (Zzt)24 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 15V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.7 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

3.5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 16.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

3EZ3.6D10E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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