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BUK9M5R2-30EX

BUK9M5R2-30EX

참조 용

부품 번호 BUK9M5R2-30EX
PNEDA 부품 번호 BUK9M5R2-30EX
설명 MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
제조업체 Nexperia
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK9M5R2-30EX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9M5R2-30EX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK9M5R2-30EX, BUK9M5R2-30EX 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 723.12 KB)
PDFBUK9M5R2-30EX 데이터 시트 표지
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BUK9M5R2-30EX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22.5nC @ 5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2467pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)79W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LFPAK33
패키지 / 케이스SOT-1210, 8-LFPAK33

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

112nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6390pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

227W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 2.6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-HSOF-8-3

패키지 / 케이스

8-PowerSFN

DMN2600UFB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.85nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70.13pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-DFN1006 (1.0x0.6)

패키지 / 케이스

3-UFDFN

RSD221N06TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

850mW (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.8V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

119W (Tc)

작동 온도

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