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BUK9K20-80EX

BUK9K20-80EX

참조 용

부품 번호 BUK9K20-80EX
PNEDA 부품 번호 BUK9K20-80EX
설명 MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D
제조업체 Nexperia
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK9K20-80EX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9K20-80EX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BUK9K20-80EX, BUK9K20-80EX 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 254.05 KB)
PDFBUK9K20-80EX 데이터 시트 표지
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BUK9K20-80EX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3462pF @ 25V
전력-최대68W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-1205, 8-LFPAK56
공급자 장치 패키지LFPAK56D

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta), 11A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC, 7.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

348pF, 429pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

HSML3030L10

CSD85301Q2T

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

469pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WSON (2x2)

DMN3032LFDBQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

SH8M31GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC, 40nC @ 5V, 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF, 2500pF @ 10V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI4940DY-T1-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

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