BUK9C10-55BIT/A,11
참조 용
| 부품 번호 | BUK9C10-55BIT/A,11 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9C10-55BIT-A-11 |
| 설명 | 55V N CH TRENCHFET |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,894 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9C10-55BIT/A 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9C10-55BIT/A,11 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK9C10-55BIT/A 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchPLUS |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 55V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 51nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±15V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4667pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 194W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 218A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 4.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9690pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1165pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 99W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.72nC @ 4.5V Vgs (최대) 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 70pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TLM621H 패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 340mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 32pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 320mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-323 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.4W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3L 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
