BUK7K12-60EX
참조 용
| 부품 번호 | BUK7K12-60EX |
| PNEDA 부품 번호 | BUK7K12-60EX |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 28,644 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 2 - 7월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK7K12-60EX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK7K12-60EX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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BUK7K12-60EX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 617pF @ 25V |
| 전력-최대 | 68W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56D |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 278A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 125A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 700nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20000pF @ 25V 전력-최대 780W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 10V 전력-최대 1.07W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 V-DFN2050-4 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-Rec® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V (1.7kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 325A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 225A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 15mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1076nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20000pF @ 1000V 전력-최대 1760W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 690pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 320pF @ 15V 전력-최대 960mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
