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BUK6208-40C,118

BUK6208-40C,118

참조 용

부품 번호 BUK6208-40C,118
PNEDA 부품 번호 BUK6208-40C-118
설명 MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
제조업체 NXP
단가 견적 요청
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BUK6208-40C 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK6208-40C,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK6208-40C, BUK6208-40C 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 365.49 KB)
PDFBUK6208-40C 데이터 시트 표지
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BUK6208-40C 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs67nC @ 10V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3720pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)128W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 140µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

195nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

188W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3-1

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

DMN2400UFB4-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

470mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X2-DFN1006-3

패키지 / 케이스

3-XFDFN

AO7400L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

STP57N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

42A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

63mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4200pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 15A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

545nC @ 20V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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