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BSS7728NH6327XTSA2

BSS7728NH6327XTSA2

참조 용

부품 번호 BSS7728NH6327XTSA2
PNEDA 부품 번호 BSS7728NH6327XTSA2
설명 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BSS7728NH6327XTSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSS7728NH6327XTSA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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BSS7728NH6327XTSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds56pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)360mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

299mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1505pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32.1W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4707pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

94-3250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 12A, 7V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2270pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MQ

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MQ

FDB029N06

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

151nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9815pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

231W (Tc)

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1996pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

87W (Tc)

작동 온도

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