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BSO204PNTMA1

BSO204PNTMA1

참조 용

부품 번호 BSO204PNTMA1
PNEDA 부품 번호 BSO204PNTMA1
설명 MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC
제조업체 Infineon Technologies
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BSO204PNTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSO204PNTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BSO204PNTMA1, BSO204PNTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 310.3 KB)
PDFBSO204PNTMA1 데이터 시트 표지
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  • BSO204PNTMA1 Distributor

BSO204PNTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1513pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지P-DSO-8

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

345pF @ 25V

전력-최대

20W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PDFN (3x3)

FDQ7238AS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

1.3W, 1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

FDS6990A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1235pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SQJ958EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34.9mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1075pF @ 30V

전력-최대

35W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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