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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

참조 용

부품 번호 BSM10GD120DN2E3224BOSA1
PNEDA 부품 번호 BSM10GD120DN2E3224BOSA1
설명 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $911.9706
50 ---------- $869.2219
100 ---------- $826.4733
200 ---------- $783.7247
400 ---------- $748.1009
500 ---------- $712.4770
재고 있음 3,036
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSM10GD120DN2E3224BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Distributor

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전력-최대80W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대)400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce530pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

PrimeSTACK™

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

355W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

VS-GB100TS120NPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전력-최대

85W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.6nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

APTGT200H120G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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