BSM080D12P2C008
참조 용
| 부품 번호 | BSM080D12P2C008 |
| PNEDA 부품 번호 | BSM080D12P2C008 |
| 설명 | SIC POWER MODULE-1200V-80A |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,878 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSM080D12P2C008 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSM080D12P2C008 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSM080D12P2C008 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 13.2mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 10V |
| 전력-최대 | 600W |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 15V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
