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BSL315PL6327HTSA1

BSL315PL6327HTSA1

참조 용

부품 번호 BSL315PL6327HTSA1
PNEDA 부품 번호 BSL315PL6327HTSA1
설명 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6
제조업체 Infineon Technologies
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BSL315PL6327HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BSL315PL6327HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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BSL315PL6327HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds282pF @ 15V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지PG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1066pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

DMC3021LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

767pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

147A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 30mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

332nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5576pF @ 1000V

전력-최대

750W

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP3

ALD110802PCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs (th) (최대) @ Id

220mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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AO4914L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

865pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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