BSB056N10NN3GXUMA1
참조 용
| 부품 번호 | BSB056N10NN3GXUMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | BSB056N10NN3GXUMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 101,856 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 5 - 5월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSB056N10NN3GXUMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSB056N10NN3GXUMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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BSB056N10NN3GXUMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Ta), 83A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5500pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| 패키지 / 케이스 | 3-WDSON |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVI FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (최대) +20V, -25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1650pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 310W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ P6 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 37.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 99mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1.21mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3330pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 278W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
