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BR93G86F-3AGTE2

BR93G86F-3AGTE2

참조 용

부품 번호 BR93G86F-3AGTE2
PNEDA 부품 번호 BR93G86F-3AGTE2
설명 IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8SOP
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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BR93G86F-3AGTE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR93G86F-3AGTE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR93G86F-3AGTE2, BR93G86F-3AGTE2 데이터 시트 (총 페이지: 39, 크기: 3,122.94 KB)
PDFBR93G86-3A 데이터 시트 표지
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BR93G86F-3AGTE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (1K x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수3MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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장착 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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10ns

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패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT29C1G12MAACYAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

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