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BR25H010FJ-2CE2

BR25H010FJ-2CE2

참조 용

부품 번호 BR25H010FJ-2CE2
PNEDA 부품 번호 BR25H010FJ-2CE2
설명 IC EEPROM 1K SPI 10MHZ 8SOPJ
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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BR25H010FJ-2CE2 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BR25H010FJ-2CE2
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
BR25H010FJ-2CE2, BR25H010FJ-2CE2 데이터 시트 (총 페이지: 35, 크기: 1,449.98 KB)
PDFBR25H010F-2CE2 데이터 시트 표지
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BR25H010FJ-2CE2 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지4ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP-J

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기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 크기

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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1.1V

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장착 유형

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

17ns

접근 시간

17ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Winbond Electronics

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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