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BLP10H610AZ

BLP10H610AZ

참조 용

부품 번호 BLP10H610AZ
PNEDA 부품 번호 BLP10H610AZ
설명 RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,864
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP10H610AZ 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP10H610AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP10H610AZ, BLP10H610AZ 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 870.2 KB)
PDFBLP10H610AZ 데이터 시트 표지
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BLP10H610AZ 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트60mA
전원-출력10W
전압-정격104V
패키지 / 케이스12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지12-HVSON (6x5)

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현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

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공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17.3dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.034GHz

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19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

112V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

PD54008S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

11.5dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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