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BLP05H6110XRY

BLP05H6110XRY

참조 용

부품 번호 BLP05H6110XRY
PNEDA 부품 번호 BLP05H6110XRY
설명 RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLP05H6110XRY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLP05H6110XRY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLP05H6110XRY, BLP05H6110XRY 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,371.23 KB)
PDFBLP05H6110XRY 데이터 시트 표지
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BLP05H6110XRY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수108MHz
이득27dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트20mA
전원-출력110W
전압-정격135V
패키지 / 케이스SOT-1223-2
공급자 장치 패키지4-HSOPF

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이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6.3A

소음 수치

-

현재-테스트

125mA

전원-출력

80W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

20-TSSOP

PD57006S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

70mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

MMBFJ304

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17.2dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

16W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

SMMBFJ310LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

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