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BLM7G22S-60PBY

BLM7G22S-60PBY

참조 용

부품 번호 BLM7G22S-60PBY
PNEDA 부품 번호 BLM7G22S-60PBY
설명 RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,556
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BLM7G22S-60PBY 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLM7G22S-60PBY
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLM7G22S-60PBY, BLM7G22S-60PBY 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 1,577.3 KB)
PDFBLM7G22S-60PBGY 데이터 시트 표지
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BLM7G22S-60PBY 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.14GHz
이득31.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트75mA
전원-출력1.6W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1211-2
공급자 장치 패키지16-HSOPF

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트랜지스터 유형

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주파수

2.7GHz ~ 2.9GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

400W

전압-정격

55V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230S-4 GW

공급자 장치 패키지

NI-1230S-4 GULL

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.6GHz ~ 1.66GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

BLF642,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

19dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

35W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

14.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

16W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

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