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BLF888DU

BLF888DU

참조 용

부품 번호 BLF888DU
PNEDA 부품 번호 BLF888DU
설명 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 6,948
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF888DU 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF888DU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF888DU, BLF888DU 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,071.94 KB)
PDFBLF888DSU 데이터 시트 표지
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BLF888DU 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득21dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력250W
전압-정격104V
패키지 / 케이스SOT539A
공급자 장치 패키지SOT539A

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

19dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

30W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

PTFA181001GL V1 R250

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

PG-63248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S GW

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S GULL

BG 5130R E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

800MHz

이득

24dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

PTFA070601EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

760MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

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