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BLF884P,112

BLF884P,112

참조 용

부품 번호 BLF884P,112
PNEDA 부품 번호 BLF884P-112
설명 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $1,370.1976
50 ---------- $1,305.9696
100 ---------- $1,241.7416
200 ---------- $1,177.5136
400 ---------- $1,123.9902
500 ---------- $1,070.4669
재고 있음 192
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BLF884P 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF884P,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF884P, BLF884P 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,352.43 KB)
PDFBLF884PS 데이터 시트 표지
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  • BLF884P,112 Distributor

BLF884P 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득21dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트650mA
전원-출력150W
전압-정격104V
패키지 / 케이스SOT-1121A
공급자 장치 패키지LDMOST

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150MHz

이득

21.3dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

175W

전압-정격

250V

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.16GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

23W

전압-정격

68V

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PTFB211503EL-V1-R250

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-33288-6

공급자 장치 패키지

H-33288-6

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37260-2

MRF141G

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

175MHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

32A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

300W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

375-04, Style 2

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