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BLF7G22L-160,118

BLF7G22L-160,118

참조 용

부품 번호 BLF7G22L-160,118
PNEDA 부품 번호 BLF7G22L-160-118
설명 RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,104
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 4 - 7월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G22L-160 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G22L-160,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G22L-160, BLF7G22L-160 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 2,306.73 KB)
PDFBLF7G22L-160 데이터 시트 표지
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BLF7G22L-160 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)36A
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력43W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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이득

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전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

28dbm

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

MWT-773

Microwave Technology Inc.

제조업체

Microwave Technology Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

MESFET

주파수

500MHz ~ 26GHz

이득

8dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

98mA

소음 수치

12dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

20dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

Nonstandard SMD

공급자 장치 패키지

73

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

16A

소음 수치

-

현재-테스트

410mA

전원-출력

13.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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