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BLF6H10L-160,112

BLF6H10L-160,112

참조 용

부품 번호 BLF6H10L-160,112
PNEDA 부품 번호 BLF6H10L-160-112
설명 RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 22 - 7월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6H10L-160 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6H10L-160,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6H10L-160, BLF6H10L-160 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,024.51 KB)
PDFBLF6H10LS-160 데이터 시트 표지
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BLF6H10L-160 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수952.5MHz ~ 957.5MHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력38W
전압-정격104V
패키지 / 케이스SOT467C
공급자 장치 패키지SOT467C

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

100W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

OM780-4

공급자 장치 패키지

OM780-4

BLF573,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

225MHz

이득

27.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

42A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

3.4A

전원-출력

95W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1242B

공급자 장치 패키지

CDFM8

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

718.5MHz ~ 725.5MHz

이득

20.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

3.4A

전원-출력

95W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1242B

공급자 장치 패키지

CDFM8

MWT-173

Microwave Technology Inc.

제조업체

Microwave Technology Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

MESFET

주파수

100MHz ~ 12GHz

이득

10dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

240mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

240mA

전원-출력

300mW

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

Nonstandard SMD

공급자 장치 패키지

73

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