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BLF6G22LS-180RN,11

BLF6G22LS-180RN,11

참조 용

부품 번호 BLF6G22LS-180RN,11
PNEDA 부품 번호 BLF6G22LS-180RN-11
설명 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22LS-180RN 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22LS-180RN,11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G22LS-180RN, BLF6G22LS-180RN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,053.48 KB)
PDFBLF6G22LS-180RN:11 데이터 시트 표지
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BLF6G22LS-180RN 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득16dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)49A
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

관심을 가질만한 제품

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

250W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

PTFA220121M-V4

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

9.3W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-LDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PG-SON-10

CGH27015F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

15W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

CLF1G0060-10U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3GHz ~ 3.5GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

10W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

SOT-1227A

공급자 장치 패키지

CDFM2

PXAC261202FCV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.61GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

230mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

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TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

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