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BLF6G22LS-130,112

BLF6G22LS-130,112

참조 용

부품 번호 BLF6G22LS-130,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G22LS-130-112
설명 RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 5,310
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 2 - 7월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G22LS-130 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G22LS-130,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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BLF6G22LS-130 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득17dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)34A
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.1GHz ~ 3.5GHz

이득

11dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

115W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

SOT-1135A

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

25dB

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

PTF080101S V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H32259-2

공급자 장치 패키지

H-32259-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.9GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

13.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

22W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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