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BLF6G10-160RN,112

BLF6G10-160RN,112

참조 용

부품 번호 BLF6G10-160RN,112
PNEDA 부품 번호 BLF6G10-160RN-112
설명 RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 2,988
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF6G10-160RN 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF6G10-160RN,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF6G10-160RN, BLF6G10-160RN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 978.26 KB)
PDFBLF6G10LS-160RN 데이터 시트 표지
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BLF6G10-160RN 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수922.5MHz ~ 957.5MHz
이득22.5dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)39A
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력32W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

225MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

18mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

ATF-33143-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

15dB

전압-테스트

4V

전류 정격 (Amps)

305mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

80mA

전원-출력

22dBm

전압-정격

5.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

BLF184XRGQ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1214C

공급자 장치 패키지

LDMOST

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