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BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112

참조 용

부품 번호 BLF4G10LS-120,112
PNEDA 부품 번호 BLF4G10LS-120-112
설명 FET RF 65V 960MHZ SOT502B
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 20 - 7월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF4G10LS-120 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF4G10LS-120,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF4G10LS-120, BLF4G10LS-120 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 105.08 KB)
PDFBLF4G10LS-120 데이터 시트 표지
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BLF4G10LS-120 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수920MHz ~ 960MHz
이득19dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)12A
소음 수치-
현재-테스트650mA
전원-출력48W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502B
공급자 장치 패키지SOT502B

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200V

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20A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

750W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

5.4A

소음 수치

-

현재-테스트

225mA

전원-출력

-

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

-

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주파수

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이득

36.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1211-3

공급자 장치 패키지

16-HSOPF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

30MHz ~ 2.2GHz

이득

18.4dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

125W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

65mA

전원-출력

1.5W

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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