BFP 650F E6327
참조 용
| 부품 번호 | BFP 650F E6327 |
| PNEDA 부품 번호 | BFP-650F-E6327 |
| 설명 | RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,484 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택) |
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BFP 650F E6327 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BFP 650F E6327 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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BFP 650F E6327 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 4.5V |
| 주파수-전환 | 42GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 이득 | 11dB ~ 21.5dB |
| 전력-최대 | 500mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 110 @ 80mA, 3V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 150mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 4-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 4-TSFP |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 10V 주파수-전환 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz 이득 21.5dB 전력-최대 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지 PG-TSLP-3-1 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 6.5dB @ 60MHz 이득 14dB @ 200MHz 전력-최대 350W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
