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BF2030E6814HTSA1

BF2030E6814HTSA1

참조 용

부품 번호 BF2030E6814HTSA1
PNEDA 부품 번호 BF2030E6814HTSA1
설명 MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,976
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF2030E6814HTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF2030E6814HTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF2030E6814HTSA1, BF2030E6814HTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 165.38 KB)
PDFBF2030WH6824XTMA1 데이터 시트 표지
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  • BF2030E6814HTSA1 Distributor

BF2030E6814HTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수800MHz
이득23dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)40mA
소음 수치1.5dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격8V
패키지 / 케이스TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지PG-SOT143-4

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제조업체

Infineon Technologies

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이득

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전압-테스트

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2.1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.02GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10.2A

소음 수치

-

현재-테스트

170mA

전원-출력

8W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1130A

공급자 장치 패키지

CDFM4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.03GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1300W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz ~ 1.22GHz

이득

19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

112V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

BLF6G27-10G,118

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

3.5A

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

CDFM2

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