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BF1202WR,135

BF1202WR,135

참조 용

부품 번호 BF1202WR,135
PNEDA 부품 번호 BF1202WR-135
설명 MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,424
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BF1202WR 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BF1202WR,135
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BF1202WR, BF1202WR 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 177.61 KB)
PDFBF1202WR 데이터 시트 표지
BF1202WR 데이터 시트 페이지 2 BF1202WR 데이터 시트 페이지 3 BF1202WR 데이터 시트 페이지 4 BF1202WR 데이터 시트 페이지 5 BF1202WR 데이터 시트 페이지 6 BF1202WR 데이터 시트 페이지 7 BF1202WR 데이터 시트 페이지 8 BF1202WR 데이터 시트 페이지 9 BF1202WR 데이터 시트 페이지 10 BF1202WR 데이터 시트 페이지 11

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BF1202WR 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel Dual Gate
주파수400MHz
이득30.5dB
전압-테스트5V
전류 정격 (Amps)30mA
소음 수치0.9dB
현재-테스트12mA
전원-출력-
전압-정격10V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지CMPAK-4

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주파수

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이득

17.4dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4.2µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

140W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

450MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

1000W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz

이득

16.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

10W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270-4

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

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