BDT60B-S
참조 용
| 부품 번호 | BDT60B-S |
| PNEDA 부품 번호 | BDT60B-S |
| 설명 | TRANS PNP DARL 100V 4A |
| 제조업체 | Bourns |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,156 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 1 - 7월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BDT60B-S 리소스
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BDT60B-S 사양
| 제조업체 | Bourns Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 4A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 100V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 1.5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500µA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
| 전력-최대 | 2W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V 전력-최대 1.25W 주파수-전환 80MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
제조업체 MICROSS/On Semiconductor 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V 전력-최대 460mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SC-70 (SOT323) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V 전력-최대 900mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 LSTM |
