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BD435

BD435

참조 용

부품 번호 BD435
PNEDA 부품 번호 BD435
설명 TRANS NPN 32V 4A TO-225AA
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 4,320
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BD435 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD435
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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BD435 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce85 @ 500mA, 1V
전력-최대36W
주파수-전환3MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-225AA

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 250mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

전력-최대

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PN3569_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SC2859-GR(TE85L,F

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

전력-최대

150mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

2.5W

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150MHz

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