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BD241ATU

BD241ATU

참조 용

부품 번호 BD241ATU
PNEDA 부품 번호 BD241ATU
설명 TRANS NPN 60V 3A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,214
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BD241ATU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BD241ATU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BD241ATU, BD241ATU 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 27.74 KB)
PDFBD241BTU 데이터 시트 표지
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BD241ATU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 1A, 4V
전력-최대40W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

320MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSC945LTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

350 @ 1mA, 6V

전력-최대

250mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SD2318TLU

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

560 @ 500mA, 4V

전력-최대

15W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

CPT3

JANTX2N3999

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/374

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

TO-210AA, TO-59-4, Stud

공급자 장치 패키지

TO-59

BC807-16 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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