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BCV29H6327XTSA1

BCV29H6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BCV29H6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BCV29H6327XTSA1
설명 TRANSISTOR AF SOT89-4
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BCV29H6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BCV29H6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BCV29H6327XTSA1, BCV29H6327XTSA1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 510.43 KB)
PDFBCV29E6327HTSA1 데이터 시트 표지
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  • BCV29H6327XTSA1 Distributor

BCV29H6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
전력-최대1W
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89-3

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

310mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

전력-최대

25W

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 1V

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