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BC559ABU

BC559ABU

참조 용

부품 번호 BC559ABU
PNEDA 부품 번호 BC559ABU
설명 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,482
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BC559ABU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BC559ABU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
BC559ABU, BC559ABU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 349.41 KB)
PDFBC560_J35Z 데이터 시트 표지
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BC559ABU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
전력-최대500mW
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

전력-최대

250W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

550V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400µA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

전력-최대

75W

주파수-전환

12MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-220

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 1V

전력-최대

36W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

CP547-CEN1103-CT

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

MPSW56RLRPG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 250mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 250mA, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92 (TO-226)

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